| 零件編號 | TW030Z120C-S1F |
|---|---|
| 製造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3 |
| 數據表 | |
| 封裝 | - |
| ECAD |
|
| 庫存 | 330 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 待確認 |
| 預計送達時間 | 十月 3 - 十月 8 (選擇速遞服務) |
| 請求報價 |
|
| 支付方式 | |
| 送貨服務 |
| 製造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | - |
| ECAD |
|
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 1200 V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 60A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 18V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 5V @ 13mA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 82 nC @ 18 V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2925 pF @ 800 V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 249W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 41mOhm @ 30A, 18V |
| 工作溫度 | 175°C |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包 | TO-247-4L(X) |
| 包/箱 | TO-247-4 |
我們保證100％的客戶滿意度。
我們經驗豐富的銷售團隊和技術支持團隊支持我們的服務以滿足所有客戶。
我們提供90天保修。
如果您收到的物品質量不合格，我們將負責您的退款或更換，但物品必須以原始狀態退回。
您有關於 TW030Z120C-S1F 的問題嗎？
+86-755-83210559 ext. 807
掃描以查看此頁面
