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| 零件編號 | SI4888DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 數據表 | |
| 封裝 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 庫存 | 3,760 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 待確認 |
| 預計送達時間 | 十二月 28 - 一月 2 (選擇速遞服務) |
| 請求報價 |
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| 支付方式 | |
| 送貨服務 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 11A (Ta) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1.6V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 24nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.6W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 7 mOhm @ 16A, 10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | 8-SO |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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SIT8208AI-G3-28S-50.000000T | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 50PPM, 2.8V, 5, -, TrenchFET? | 查看 |
 
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1PS88SB82,165 | Nexperia USA Inc., DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V 6TSSOP, 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, TrenchFET? | 查看 |
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H275CGRD | Bivar Inc., LED ASSY RA 5MM 2LVL GN/RD DIFF, -, TrenchFET? | 查看 |
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EHF-FD1618 | Panasonic Electronic Components, BALUN HYBRID 700-1300MHZ 1:1, 1206 (3216 Metric), TrenchFET? | 查看 |
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| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4888DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4888DY-T1-GE3 D# SI4888DY-T1-GE3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4888DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4888DY-T1-GE3 D# NS-SI4888DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1364 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4888DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
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