| 零件編號 | SI4322DY-T1-E3 |
|---|---|
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
| 數據表 | |
| 封裝 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 庫存 | 392,580 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 可立即發貨 |
| 預計送達時間 | 十二月 27 - 一月 1 (選擇速遞服務) |
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| 送貨服務 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| 系列 | TrenchFET? |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 18A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 3V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 38nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 1640pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | 8-SO |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:18A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.007ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.5V, Power Dissipation Pd:5.4W, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 D# SI4322DY-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
17845 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
89742 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 D# NS-SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7359 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
89727 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SI4322DY-T1-E3 |
V |
RFQ |
2843 |
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