| 零件編號 | RQ3E180AJTB1 |
|---|---|
| 製造商 | Rohm Semiconductor |
| 描述 | NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET: |
| 數據表 | |
| 封裝 | - |
| ECAD |
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| 庫存 | 8,832 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 待確認 |
| 預計送達時間 | 十一月 29 - 十二月 4 (選擇速遞服務) |
| 請求報價 |
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| 支付方式 | |
| 送貨服務 |
| 製造商 | Rohm Semiconductor |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | - |
| ECAD |
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| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 1.5V @ 11mA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 4290 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±12V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 4.5mOhm @ 18A, 4.5V |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | 8-HSMT (3.2x3) |
| 包/箱 | 8-PowerVDFN |
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