零件編號 | F3L200R07PE4 |
---|---|
製造商 | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
描述 | IGBT MODULE VCES 650V 200A |
數據表 | |
封裝 | - |
ECAD | |
庫存 | 3,504 piece(s) |
單價 | Request a Quote |
交貨期 | 待確認 |
預計送達時間 | 十一月 28 - 十二月 3 (選擇速遞服務) |
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零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 D# F3L200R07PE4BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4-diode and NTC - Bulk (Alt: F3L200R07PE4BOSA1) |
0 |
F3L200R07PE4 D# F3L200R07PE4 |
Infineon Technologies AG |
EconoPACK 4 650V 3-level phase leg IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC - Bulk (Alt: F3L200R07PE4) RoHS: Not Compliant
|
0 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 D# SP000711882 |
Infineon Technologies AG |
EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4-diode and NTC (Alt: SP000711882) |
0 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4 |
Infineon Technologies AG |
REF: SP000711882 |
2742 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 D# 2156-F3L200R07PE4BOSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
F3L200R07 - IGBT MODULE |
7 |
F3L200R07PE4 D# 2156-F3L200R07PE4-ND |
Rochester Electronics LLC |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
3990 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 D# 2781223 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, MODULE, N-CH, 650V, 200A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
1 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
650 V 200 A EconoPACK™ 4 3-level phase leg IGBT module RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
380 |
F3L200R07PE4BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4 D# 641-F3L200R07PE4 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules IGBT Module 200A 650V RoHS: Compliant
|
6 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 D# 34AC1548 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, MODULE, N-CH, 650V, 200A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:200A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V, Power Dissipation Pd:680W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, Transistor Case RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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1 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
F3L200R07 - IGBT Module RoHS: Compliant
|
7 |
F3L200R07PE4 |
Infineon Technologies AG |
Insulated Gate Bipolar Transistor Module RoHS: Compliant
|
3990 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
96 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4 |
mfr |
RFQ |
13772 |
零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
F3L200R07PE4BOSA1 D# 2781223 |
Infineon Technologies AG |
IGBT, MODULE, N-CH, 650V, 200A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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