| 零件編號 | BUZ111S |
|---|---|
| 製造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 數據表 | |
| 封裝 | - |
| ECAD |
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| 庫存 | 0 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 待確認 |
| 預計送達時間 | 十一月 18 - 十一月 23 (選擇速遞服務) |
| 請求報價 |
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| 支付方式 | |
| 送貨服務 |
| 製造商 | Infineon Technologies |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | - |
| ECAD |
|
| 系列 | SIPMOS® |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 55 V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 4V @ 240µA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 185 nC @ 10 V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 8mOhm @ 80A, 10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包 | PG-TO220-3-1 |
| 包/箱 | TO-220-3 |
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